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Yurchuk, Ekaterina [VerfasserIn] ; Technische Universität Dresden

Electrical characterisation of ferroelectric field effect transistors based on ferroelectric HfO2 thin films

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Berlin: Logos Verlag, 2015

Erschienen in: NaMLab gGmbH: Research at NaMLab ; 4
Bachhofer, Harald [VerfasserIn]

Herstellung und Charakterisierung von SrBi 2 Ta 2 O 9 -Dünnschichten für ferroelektrische Halbleiterspeicher

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2001
Breyer, Evelyn T. [VerfasserIn] ; Books on Demand GmbH Norderstedt, Technische Universität Dresden

Development and investigation of novel logic-in-memory and nonvolatile logic circuits utilizing hafnium oxide-based ferroelectric field-effect transistors - [1. Auflage]

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Norderstedt: BoD – Books on Demand, [2022]

Erschienen in: Research at namlab
Ishiwara, Hiroshi [HerausgeberIn]

Ferroelectric random access memories : fundamentals and applications ; with 12 tables

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Berlin; Heidelberg [u.a.]: Springer, 2004

Erschienen in: Topics in applied physics ; 93
Großmann, Michael [VerfasserIn]

Imprint : an important failure mechanism of ferroelectric thin films in view of memory applications - [Als Ms. gedr.]

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Düsseldorf: VDI-Verl., 2001

Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 346
Scott, James F. [VerfasserIn]

Ferroelectric memories

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New York , Berlin; Heidelberg: Springer, 2000

Erschienen in: Advanced microelectronics ; 3
Trummel, Martin [VerfasserIn]

Möglichkeiten und Grenzen des Energiespeichers Kondensator in der künftigen Energiewirtschaft, insbesondere im Hinblick auf den Einsatz in Elektrofahrzeugen und Solaranlagen

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1993
Ellerkmann, Ulrich [VerfasserIn]

Impact of the interface capacity on failure mechanisms and size effects in ferroelectric thin films

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Aachen: Shaker, 2006

Erschienen in: Berichte aus der Halbleitertechnik
Müller, Johannes [VerfasserIn]

Ferroelektrizität in Hafniumdioxid und deren Anwendung in nicht-flüchtigen Halbleiterspeichern

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Stuttgart: Fraunhofer Verl., 2015
Tiedke, Stephan [VerfasserIn]

Elektrische Charakterisierung ferroelektrischer Nanostrukturen in Hinblick auf die Verwendung in nicht-flüchtigen Speicherbausteinen

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Aachen: Shaker, 2005

Erschienen in: Berichte aus der Elektrotechnik
Pešić, Milan Dragan [VerfasserIn] ; Technische Universität Dresden

Gate stack engineering for emerging polarization based non-volatile memories - [1. Auflage]

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Norderstedt: BoD Books on Demand, [2017]

Erschienen in: Research at namlab
Knebel, Steve [VerfasserIn] ; Technische Universität Dresden, Logos Verlag Berlin

Herstellung ultra-dünner hoch-[epsilon]r Oxide und deren Verhalten unter dynamischen elektrischen Stressbedingungen

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Berlin: Logos Verlag, [2019]

Erschienen in: NaMLab gGmbH: Research at NaMLab ; 6
Kilian, Gernod [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

Untersuchungen der Kontaminationsaspekte von Barium, Strontium, Bismut, Iridium und Platin auf Si (100)-Oberflächen : (im Hinblick auf die Integration ferroelektrischer Schichten in der Speichertechnologie)

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2002
Grimley, Everett D. [VerfasserIn]; Frisone, Sam [VerfasserIn]; Schenk, Tony [VerfasserIn]; Park, Min Hyuk [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Fancher, Chris M. [VerfasserIn]; Jones, Jacob L. [VerfasserIn]; Schroeder, Uwe [VerfasserIn]; LeBeau, James M. [VerfasserIn]

Insights into Texture and Phase Coexistence in Polycrystalline and Polyphasic Ferroelectric HfO2 Thin Films using 4D-STEM

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Cambridge : Cambridge University Press, [2022]
Lehnert, Tobias [VerfasserIn] ; Veith, Michael [AkademischeR BetreuerIn]

Herstellung und Charakterisierung dielektrischer und ferroelektrischer Komposite

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Saarbrücken: Saarländische Universitäts- und Landesbibliothek, 2011
Yurchuk, Ekaterina [VerfasserIn] ; Mikolajick, Thomas [AkademischeR BetreuerIn]; Mikolajick, Thomas [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Dörr, Kathrin [AkademischeR BetreuerIn] Technische Universität Dresden

Electrical Characterisation of Ferroelectric Field Effect Transistors based on Ferroelectric HfO2 Thin Films

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Dresden: Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2015 ; Dresden: Technische Universität Dresden, 2015
Yurchuk, Ekaterina [VerfasserIn] ; Mikolajick, Thomas [AkademischeR BetreuerIn]; Dörr, Kathrin [AkademischeR BetreuerIn]

Electrical Characterisation of Ferroelectric Field Effect Transistors based on Ferroelectric HfO2 Thin Films

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Dresden: Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden; Dresden: Technische Universität Dresden, 2015

Erschienen in: Research at NaMLab
Pešić, Milan [VerfasserIn]; Schroeder, Uwe [VerfasserIn]; Slesazeck, Stefan [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]

Comparative Study of Reliability of Ferroelectric and Anti-Ferroelectric Memories

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New York : IEEE, [2021]
Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Slesazeck, Stefan [VerfasserIn]; Park, Min Hyuk [VerfasserIn]; Schröder, Uwe [VerfasserIn]

Ferroelectric hafnium oxide for ferroelectric random-access memories and ferroelectric field-effect transistors

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Cambridge : Cambridge University Press, [2020]
Mulaosmanovic, Halid [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Slesazeck, Stefan [VerfasserIn]

Accumulative Polarization Reversal in Nanoscale Ferroelectric Transistors

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Washington, DC : ACS Publications, [2022]

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